特許
J-GLOBAL ID：201403014989272310
サファイア単結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283581
公開番号（公開出願番号）：特開2014-125384
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：
【課題】ヒーター投入電力を下げることなく、上述した放電現象を抑制して、正確な坩堝温度の制御が可能なサファイア単結晶製造装置を提供することにある。【解決手段】サファイア種子結晶及び原料を収容する坩堝1と、坩堝1を加熱するヒーター3とを備え、坩堝1とヒーター3との間に、縦方向上から表面粗さを小さくなっている、熱放射率の分布をもった障壁4を設置することで障壁4内部に温度勾配をもつ空間を作ることを特徴とするサファイア単結晶製造装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバー内に設置された坩堝にサファイア原料を収容し、前記チャンバー内において前記坩堝の周囲に配置されたヒーターによって前記サファイア原料を融解した後に該サファイア原料を凝固させてサファイア単結晶を育成させるサファイア単結晶製造装置であって、
前記チャンバー内には、前記ヒーターへ電力を供給するヒーター電極が配置されており、
前記坩堝と、前記ヒーター及び前記ヒーター電極との間に、電気的に接地された障壁が配設されていることを特徴とするサファイア単結晶製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077CD02
, 4G077EG01
, 4G077EG18
, 4G077EG19
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077MA04
, 4G077MB04
, 4G077MB21
, 4G077MB23
, 4G077MB24
