特許
J-GLOBAL ID：201403017679453225
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-134924
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254204
特許番号：特許第5412596号
出願日： 2013年06月27日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、第1乃至第4のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と直接接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第5の配線と直接接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第2の配線と直接接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと直接接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第3の配線と直接接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と直接接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと直接接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第4の配線と直接接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と直接接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと直接接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートと直接接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
G09G 3/20 ( 200 6.01)
, G09G 3/36 ( 200 6.01)
G09G 3/20 622 E
, G09G 3/20 621 M
, G09G 3/20 622 G
, G09G 3/20 623 H
, G09G 3/20 623 R
, G09G 3/36
