特許
J-GLOBAL ID：201403018643238308

プラズマ処理装置及び方法

発明者：
奥村 智洋

奥村 智洋 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  藤井 兼太郎 ,  寺内 伊久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275388
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120361
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：
【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、プラズマを安定的かつ効率的に発生させ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理すること。【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5の近傍に配置され、長尺チャンバ7は環状で、基材載置台1がなす面に垂直な面に沿って配置される。(a)に示す位置に発生した強いプラズマPは、(b)に示すより安定な位置に移動する。従って、モードジャンプの起きやすさと、強い放電の安定性の両立を図ることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
誘電体部材に囲まれた環状チャンバと、前記環状チャンバの内部にガスを導入するためのガス供給配管と、前記環状チャンバの近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、前記環状チャンバと連通する開口部に近接して基材を配置するための基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、 前記環状チャンバを構成する一続きの閉じたヒモの一断面において、前記環状チャンバの太さが一様でないこと、 を特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (9件)：
H05H 1/30 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  H05H 1/24 ,  C23C 16/513
FI (9件)：
H05H1/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 P ,  H01L21/22 E ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/302 101E ,  H05H1/24 ,  C23C16/513
Fターム (41件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA04 ,  4K030KA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ12 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH11 ,  5F152BB02 ,  5F152BB09 ,  5F152CC05 ,  5F152CC07 ,  5F152CD12 ,  5F152FF20 ,  5F152FG23 ,  5F152FG29 ,  5F152FH01 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭58-045736
  • プラズマ処理装置及び方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-035664   出願人：パナソニック株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-105122   出願人：積水化学工業株式会社

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