特許
J-GLOBAL ID：201403019753620867

炭素を多量に含む窒化炭素ホウ素誘電体膜、それを含む電子デバイス、およびそれを形成する方法

発明者：
グエン・ソン・ヴァン

グエン・ソン・ヴァン について

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グリル・アルフレッド

グリル・アルフレッド について

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ハイ・トーマス・ジェイ

ハイ・トーマス・ジェイ について

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メタ・サンジャイ

メタ・サンジャイ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (2件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-529714
公開番号（公開出願番号）：特表2014-532297
出願日： 2012年07月05日
公開日（公表日）： 2014年12月04日
要約：
【課題】 様々な電子デバイス内のコンポーネントとして使用できる、低い誘電率を有する、炭素を多量に含む窒化炭素ホウ素誘電体膜を提供する。【解決手段】 誘電率が3.6に等しいかまたはそれ未満である、炭素を多量に含む窒化炭素ホウ素誘電体膜(14)が提供され、これは様々な電子デバイス内のコンポーネントとして使用される。この炭素を多量に含む窒化炭素ホウ素誘電体膜は、CxByNzという化学式を有し、ここでxは35原子百分率またはそれを超え、yは6原子百分率から32原子百分率までであり、zは8原子百分率から33原子百分率までである。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
CxByNzという化学式を有し、ここでxが35原子百分率またはそれより大きく、yが6原子百分率から32原子百分率までであり、zが8原子百分率から33原子百分率までである、誘電体膜。
IPC (4件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/38 ,  C01B 21/082 ,  H01B 3/12
FI (6件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/38 ,  C01B21/082 K ,  H01B3/12 330 ,  H01B3/12 327 ,  H01B3/12 341
Fターム (33件)：
4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA26 ,  4K030BA27 ,  4K030BA36 ,  4K030BA38 ,  4K030BA41 ,  4K030BA49 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  5F058BC07 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BH17 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB19 ,  5G303CB43 ,  5G303DA07
引用特許：
審査官引用 (8件)
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