特許
J-GLOBAL ID：201403020025773906
不揮発性記憶装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-526031
特許番号：特許第5346144号
出願日： 2013年02月13日
要約：
【要約】 抵抗変化層(103)は、酸素不足型の第一の金属酸化物で構成される第一抵抗変化層(103a)と第一の金属酸化物とは酸素不足度の異なる第二の金属酸化物で構成される第二抵抗変化層(103b)とを有し、第二抵抗変化層(103b)は、酸素とは異なる非金属元素Aを含有し、第一抵抗変化層(103a)の組成をMOxと表し第二抵抗変化層(103b)の組成をNOyAzと表した場合にx<(y+z)を満たし、第二抵抗変化層(103b)の抵抗率は第一抵抗変化層(103a)の抵抗率よりも大きく、かつ、第二抵抗変化層(103b)の膜密度は、第二の金属酸化物の化学量論組成における理論膜密度よりも小さい。
請求項（抜粋）：
【請求項1】 上部電極層と、
下部電極層と、
前記上部電極層と前記下部電極層との間に介在し、前記上部電極層と前記下部電極層との間に印加される電気パルスに基づいて可逆的に抵抗状態が変化し、その状態を保持し続ける抵抗変化層と、を有する抵抗変化素子を備える不揮発性記憶装置であって、
前記抵抗変化層は、酸素不足型の第一の金属酸化物で構成される第一抵抗変化層と、前記第一の金属酸化物とは酸素不足度の異なる第二の金属酸化物で構成される第二抵抗変化層と、を有し、
前記第二抵抗変化層は、酸素とは異なる非金属元素Aを含有し、
前記第一の金属酸化物を構成する第一の金属をM、前記第二の金属酸化物を構成する第二の金属をN、前記第一抵抗変化層の組成をMOx、前記第二抵抗変化層の組成をNOyAzと表した場合に、x<(y+z)を満たし、
前記第二抵抗変化層の抵抗率は、前記第一抵抗変化層の抵抗率よりも大きく、かつ、
前記第二抵抗変化層の膜密度は、前記第二の金属酸化物の化学量論組成における理論膜密度よりも小さい
不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
H01L 27/10 448
, H01L 45/00 Z
, H01L 49/00 Z
