特許

J-GLOBAL ID：201403020134491244

磁気抵抗センサおよび装置

発明者： ディミタール・ブイ・ディミトロフ ,  ソン・ダイアン ,  トゥ・バン・グエン ,  キャロライン・ピッチャー・バン・ドルン
出願人/特許権者： シーゲイト テクノロジー エルエルシー
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-091964
公開番号（公開出願番号）：特開2012-230751
特許番号：特許第5625012号
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 磁気抵抗センサであって、 浮上面(ABS)に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックと、 前記磁気反応性スタックと前記下部電極との間の、前記浮上面から所定距離離れた領域に位置する第1の多層絶縁構造とを備え、 前記第1の多層絶縁構造は、第1の電気絶縁層および第1の非磁性導電層を含み、 前記第1の非磁性導電層は、その一方の主面が前記磁気反応性スタックと接触し、 前記第1の電気絶縁層は、 前記第1の非磁性導電層の他方の主面と前記下部電極との間に介在する部分と、 前記第1の非磁性導電層の側端を覆うとともに前記磁気反応性スタックと接触する第1の絶縁側壁とを有する、磁気抵抗センサ。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R