特許
J-GLOBAL ID：201403020696534400

高耐圧半導体装置

発明者：
清水 隆史

清水 隆史 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松尾 誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185937
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045045
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】従来よりも高い耐圧を有する高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】高電圧スイッチング素子用制御信号を生成する高電圧回路40と、高電圧回路40から突出するように形成され、高電圧回路用制御信号を生成するための高耐圧MOSFET50と、高電圧回路40と高耐圧MOSFET50との間に位置する境界領域60とを備え、高電圧回路40、高耐圧MOSFET50及び境界領域60がいずれも同一の浮遊島領域30に形成され、浮遊島領域30の周辺部にはリサーフ領域70が形成されている高耐圧半導体装置であって、境界領域60においては、浮遊島領域30の周辺部Apと当該周辺部に挟まれた内側領域Aiとのうち内側領域Aiにおいてもリサーフ領域70が形成されている高耐圧半導体装置1。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
高電圧スイッチング素子に供給する高電圧スイッチング素子用制御信号を生成する高電圧回路と、 前記高電圧回路から突出するように形成され、前記高電圧回路に供給する高電圧回路用制御信号を生成するための高耐圧MOSFETと、 前記高電圧回路と前記高耐圧MOSFETとの間に位置する境界領域とを備え、 前記高電圧回路、前記高耐圧MOSFET及び前記境界領域がいずれも、素子分離領域に囲まれた同一の第1導電型の浮遊島領域に形成され、 前記浮遊島領域の周辺部にはリサーフ領域が形成されている高耐圧半導体装置であって、 前記境界領域においては、前記浮遊島領域の周辺部と当該周辺部に挟まれた内側領域とのうち内側領域においてもリサーフ領域が形成されていることを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L27/08 102A ,  H01L29/78 301D ,  H01L27/08 102B
Fターム (35件)：
5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA07 ,  5F048BA12 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BD04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048BH01 ,  5F140AA25 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AB10 ,  5F140AC21 ,  5F140BA16 ,  5F140BF51 ,  5F140BF54 ,  5F140BH02 ,  5F140BH04 ,  5F140BH12 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH47 ,  5F140CB08 ,  5F140CD02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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