特許
J-GLOBAL ID：201403020756298760
半導体レーザ装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-068519
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192450
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】 半導体レーザ装置の大型化が抑制されながら、高い集光率でレーザ光を光ファイバーに入射させることができ、従って高いレーザ出力が得られる半導体レーザ装置の提供。【解決手段】 半導体レーザ装置は、直線状に並ぶ複数の発光部を有する半導体レーザ素子を複数備え、当該複数の半導体レーザ素子からのレーザ光がコリメート部材を介して入射される集光レンズ、および、当該集光レンズからの光が入射される光ファイバーが設けられてなる半導体レーザ装置において、集光レンズの有効レンズ径の領域における周縁部に入射するレーザ光の光軸が、当該集光レンズの光軸に対して、集光レンズに向かうに従って当該集光レンズの光軸に接近する方向に傾斜していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直線状に並ぶ複数の発光部を有する半導体レーザ素子を複数備え、当該複数の半導体レーザ素子からのレーザ光がコリメート部材を介して入射される集光レンズ、および、当該集光レンズからの光が入射される光ファイバーが設けられてなる半導体レーザ装置において、
集光レンズの有効レンズ径の領域における周縁部に入射するレーザ光の光軸が、当該集光レンズの光軸に対して、集光レンズに向かうに従って当該集光レンズの光軸に接近する方向に傾斜していることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F173MC01
, 5F173MC15
, 5F173MC22
, 5F173MD13
, 5F173MD14
, 5F173MD30
, 5F173MD64
, 5F173ME23
, 5F173ME44
, 5F173ME83
, 5F173ME85
, 5F173MF03
, 5F173MF23
, 5F173MF28
, 5F173MF39
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
