特許

J-GLOBAL ID：201403021292848555

複合基板及びその製法

発明者： 堀 裕二 ,  多井 知義 ,  岩崎 康範 ,  山寺 喬紘 ,  服部 良祐 ,  鈴木 健吾
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  エヌジーケイ・セラミックデバイス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-514653
特許番号：特許第5583875号
出願日： 2013年11月11日
要約：

【要約】 本発明の複合基板は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、Arを含有するアモルファス層を介して接合された複合基板である。アモルファス層は、圧電基板から複合基板に向かって第1層、第2層及び第3層を有している。このうち、第1層は、第2層及び第3層に比べて圧電基板を構成する元素(Taなど)を多く含有し、第3層は、第1層及び第2層に比べて支持基板を構成する元素(Si)を多く含有し、第2層は、第1層及び第3層に比べてArを多く含有する。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、Arを含有するアモルファス層を介して接合された複合基板であって、 前記アモルファス層は、前記圧電基板から前記支持基板に向かって第1層、第2層及び第3層を有し、前記第1層は、前記第2層及び前記第3層に比べて前記圧電基板を構成する元素を多く含有し、前記第3層は、前記第1層及び前記第2層に比べて前記支持基板を構成する元素を多く含有し、前記第2層は、前記第1層及び前記第3層に比べてArを多く含有する、 複合基板。

IPC (1件)：

H03H 9/25 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H03H 9/25 C