特許
J-GLOBAL ID：201403021375685410
基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047226
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175494
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】メンテナンス等による炉内部材の交換により金属汚染レベルが高くなるのを抑制する。【解決手段】複数枚の基板60を縦方向に間隔を置いて保持する基板保持具を収容して基板60を処理する処理室と、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理ガス供給部に接続され、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズル40と、を有し、処理ガス供給ノズル40には基板60の中心601と処理ガス供給ノズル40の中心401とを結ぶ線100の両側に少なくとも一つずつガス供給孔52が設けられている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数枚の基板を縦方向に間隔を置いて保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガス供給部に接続され、前記処理室内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルと、を有し、
前記処理ガス供給ノズルには前記基板の中心と前記処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつガス供給孔が設けられている、基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030BA37
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA05
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 5F045AA04
, 5F045AA06
, 5F045AB06
, 5F045BB14
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EF03
, 5F045EF08
, 5F045EK06
, 5F045EM08
