特許
J-GLOBAL ID：201403021390693020
光導波路素子及び光変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 棚井 澄雄
, 五十嵐 光永
, 小室 敏雄
, 清水 雄一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283964
特許番号：特許第5413865号
出願日： 2012年12月27日
要約：
【課題】長距離の波長多重光ファイバ通信に用いられる全波長領域を対象として、強度変調における高い消光比、又は位相変調における高いQ値を有し、高速かつ低い光損失の光導波路素子。
【解決手段】リブ部22とその両側にそれぞれ接続された一対のスラブ部23,24とからなるコア12を有するリブ型導波路を備え、コア12は、特定の偏光状態にある基本モード及び高次モードを伝搬可能であり、リブ部22は、PN接合を形成するP型半導体部3a及びN型半導体部4aを有し、第1スラブ部23のP型半導体部3bはリブ部22のP型半導体部3aと接続され、第2スラブ部24のN型半導体部4bはリブ部22のN型半導体部4aと接続され、P型半導体部3a,3b又はN型半導体部4a,4bよりも高濃度にドーパントを含有する半導体材料からなるP型導体部5及びN型導体部6が、高次モードが伝搬される領域に設けられている。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 リブ部とその両側にそれぞれ接続された一対のスラブ部とからなるコアを有するリブ型導波路を備え、
前記リブ部は、特定の偏光状態にある基本モード及び高次モードを伝搬可能な断面寸法を有し、
前記リブ部は、P型半導体部及びN型半導体部を有し、これらP型半導体部及びN型半導体部がPN接合を形成し、
前記一対のスラブ部の一方である第1スラブ部は、互いに接続されたP型半導体部及びP型導体部を有し、前記第1スラブ部のP型半導体部は、前記リブ部のP型半導体部と接続され、
前記一対のスラブ部の一方である第2スラブ部は、互いに接続されたN型半導体部及びN型導体部を有し、前記第2スラブ部のN型半導体部は、前記リブ部のN型半導体部と接続され、
前記P型導体部及び前記N型導体部は、それぞれ電極と電気的に接続され、
前記P型半導体部は、P型ドーパントを含有する半導体材料からなり、
前記N型半導体部は、N型ドーパントを含有する半導体材料からなり、
前記P型導体部は、前記P型半導体部よりも高濃度にP型ドーパントを含有する半導体材料からなり、
前記N型導体部は、前記N型半導体部よりも高濃度にN型ドーパントを含有する半導体材料からなり、
前記P型導体部及び前記N型導体部が、前記高次モードが伝搬される領域に設けられていることを特徴とする光導波路素子。
IPC (2件)：
G02F 1/025 ( 200 6.01)
, G02B 6/12 ( 200 6.01)
