特許

J-GLOBAL ID：201403021931310413

高脱アセチル化キトサンの製造方法

発明者： 石井 大輔 ,  林 久夫 ,  大橋 力
出願人/特許権者： 学校法人 龍谷大学
代理人 (1件)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-070102
公開番号（公開出願番号）：特開2014-193946
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月09日
要約：

【課題】より簡便かつ安全な方法で高い脱アセチル化度を有するキトサンを製造する方法を提供する。【解決手段】キチンまたはキトサンを塩基性アニオンのイオン液体および水に接触させて、アセチル基を脱アセチル化する工程を含むキトサンの製造方法に関する。イオン液体のアニオンのpKbが10以下であることが好ましい。また、イオン液体のアニオンが、酢酸イオンまたは炭酸水素イオンであることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

キチンまたはキトサンを塩基性アニオンのイオン液体および水に接触させて、アセチル基を脱アセチル化する工程を含むキトサンの製造方法。

IPC (1件)：

C08B 37/08

FI (1件)：

C08B37/08 A

Fターム (6件)：

4C090AA05 ,  4C090BA47 ,  4C090BB17 ,  4C090BB36 ,  4C090BB53 ,  4C090CA33