特許
J-GLOBAL ID：201403022165425498
均等磁場発生装置及びシム構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
廣瀬 一
, 田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098620
公開番号（公開出願番号）：特開2014-217564
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：
【課題】シムコイル及び磁性体シムを高精度で配置することができるシム構造体を有する均等磁場発生装置及びシム構造体の製造方法を提供する。【解決手段】軸方向に所定間隔を保って配設した磁場を発生させるリング状の複数の電磁石と、該複数の電磁石の内側に配設された電磁石で発生する磁場を均一磁場に補正するシム構造体SSとを備え、前記シム構造体SSは、パッシブシム41及びアクティブシムコイル43を配置した円筒体40で構成されている。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
軸方向に所定間隔を保って配設した磁場を発生させるリング状の複数の電磁石と、
該複数の電磁石の内側に配設された電磁石で発生する磁場を均一磁場に補正するシム構造体とを備え、
前記シム構造体は、パッシブシム及びアクティブシムコイルを配置した円筒体で構成されていることを特徴とする均等磁場発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
A61B5/05 332
, G01N24/06 520Y
4C096AA01
, 4C096AB32
, 4C096AD08
, 4C096CA03
, 4C096CA15
, 4C096CA17
, 4C096CA23
, 4C096CA25
, 4C096CA35
, 4C096CA36
