特許
J-GLOBAL ID：201403022641186642
β-Ga2O3系単結晶の育成方法、並びにβ-Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101428
公開番号（公開出願番号）：特開2014-221692
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：
【課題】結晶品質の高い平板状のβ-Ga2O3系単結晶を得ることができるβ-Ga2O3系単結晶の育成方法、並びにβ-Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態において、平板状の種結晶20をGa2O3系融液12に接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、種結晶20の主面に付着したGa2O3系融液12の蒸発物の結晶情報を引き継がないように、(100)面と交わる主面26aを有する平板状のβ-Ga2O3系単結晶25を成長させる工程と、を含み、β-Ga2O3系単結晶25を成長させるときに、厚さ方向tにのみβ-Ga2O3系単結晶25の肩を広げる、β-Ga2O3系単結晶25の育成方法を提供する。β-Ga2O3系の単結晶25は(101)面、(-201)面、又は(001)面を主面と平板状単結晶でb軸方向に成長させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
平板状の種結晶をGa2O3系融液に接触させる工程と、
前記種結晶を引き上げ、前記種結晶の主面に付着した前記Ga2O3系融液の蒸発物の結晶情報を引き継がないように、(100)面と交わる主面を有する平板状のβ-Ga2O3系単結晶を成長させる工程と、
を含み、
前記β-Ga2O3系単結晶を成長させるときに、厚さ方向にのみβ-Ga2O3系単結晶の肩を広げる、β-Ga2O3系単結晶の育成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BB10
, 4G077CF02
, 4G077ED01
, 4G077HA12
, 4G077PA01
, 4G077PK01
