特許

J-GLOBAL ID：201403022916889746

SiC半導体装置及びその製造方法

発明者： 清水 達雄 ,  畠山 哲夫
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-009517
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143248
出願日： 2013年01月22日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：

【課題】高移動度の4H-SiC/SiO2 絶縁膜界面を実現し、素子特性の向上をはかる。【解決手段】4H-SiC基板を用いたSiC半導体装置であって、SiC基板100,102の表面部の少なくとも一部に形成されたp型の4H-SiC領域121と、4H-SiC領域121の表面部に形成された、炭素ドープによる欠陥低減層124と、欠陥低減層124上に、n型不純物のドープにより形成された、1つのSi格子点にpnドープのペアを有するペア構造絶縁膜125と、ペア構造絶縁膜125上に形成されたゲート絶縁膜と130、ゲート絶縁膜130上に形成されたゲート電極140と、を備えた。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

SiC基板の表面部の少なくとも一部に、p型不純物のドープにより形成されたp型の4H-SiC領域と、 前記4H-SiC領域の表面部に形成された、炭素ドープによる欠陥低減層と、 前記欠陥低減層上に、n型不純物のドープにより形成された、1つのSi格子点にpnドープのペアを有するペア構造絶縁膜と、 前記ペア構造絶縁膜上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 を具備したことを特徴とするSiC半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316

FI (10件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 656Z ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/316 P

Fターム (49件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF02 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF40 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BH04 ,  5F058BH15 ,  5F058BH16 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AA30 ,  5F140AC01 ,  5F140AC22 ,  5F140AC24 ,  5F140BA02 ,  5F140BB16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD06 ,  5F140BD20 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF43 ,  5F140BF53 ,  5F140BF54 ,  5F140BG44 ,  5F140BH03 ,  5F140BH04 ,  5F140CB04