特許

J-GLOBAL ID：201403024264683434

含フッ素化合物および該含フッ素化合物を用いた有機薄膜トランジスタ

発明者： 市川 淳士 ,  山本 今日子
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (2件)： 濱田 百合子 ,  本多 弘徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-007148
公開番号（公開出願番号）：特開2014-136700
出願日： 2013年01月18日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：

【課題】ドライプロセス・ウェットプロセスのいずれにも適用可能であり、さらに高キャリア移動度を有する有機半導体材料として有用なピセン系化合物を提供する。【解決手段】下式(1)で表される含フッ素化合物。 【化1】[上記式において、R1〜R6は、各々独立して、水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数2〜30のアルケニル基、炭素数2〜30のアルキニル基、炭素数6〜30の1価芳香族炭化水素基または炭素数4〜30の1価複素環基である。]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下式(1)で表される含フッ素化合物。

IPC (5件)：

C07C 25/22 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

C07C25/22 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B

Fターム (27件)：

4H006AA01 ,  4H006AB78 ,  4H006AC28 ,  4H006EA23 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58