特許

J-GLOBAL ID：201403024732615280

太陽電池の製造方法

発明者： 上田 仁 ,  米澤 朋子 ,  伊藤 憲和
出願人/特許権者： 株式会社IHI
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101090
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175780
特許番号：特許第5482937号
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 微結晶シリコン膜をプラズマCVD法により形成するステップであって、 真空室内に、誘導結合型アンテナを配置し、該基板の温度を150〜250°Cとし、水素ガスとシランガスとを含む混合ガスを導入し、複数の前記アンテナに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、水素ガス/シランガス流量比を1〜10の範囲で調節して、前記基板上に結晶シリコンに起因する520cm-1付近のラマン散乱強度Icと非晶質シリコンに起因する480cm-1付近のラマン散乱強度Iaとの比Ic/Iaが2〜6となる微結晶シリコン膜を形成し、 前記アンテナは両端部がそれぞれ高周波電源とアースとに接続された形状とし、一平面内に配列してアレイアンテナ構造として配置し、基板を該アレイアンテナに対向して配置し、隣り合うアンテナ間で高周波電力の位相差制御し、前記アレイアンテナを複数列配置し、該アレイアンテナを挟み込むように2枚の基板を配置する構成とし、前記アレイアンテナを3層以上とし、同時に3以上の領域で放電させるステップと、 非晶質シリコン膜を形成するステップと、 を含み、非晶質シリコン膜と微結晶シリコン膜を積層してタンデム構造にすることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/24 ( 200 6.01) ,  C23C 16/509 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 201 4.01) ,  H01L 31/06 ( 201 2.01)

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 W