特許
J-GLOBAL ID：201403025267280540
イオン発生装置およびそれを備える電気機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-139850
公開番号（公開出願番号）：特開2014-006972
出願日： 2012年06月21日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】時間の経過にともなってイオンの発生量が減少することを抑制可能なイオン発生装置を提供する。【解決手段】イオン発生装置10は、電極51a,51b,52a,52bを有し、電極51a,51b,52a,52bに高電圧が印加されるとイオンを発生させるイオン発生部5と、高電圧を生成して電極51a,51b,52a,52bに印加する高電圧印加回路3と、高電圧印加回路3を制御する制御回路4とを備える。制御回路4は、第1の高電圧を電極51a,51b,52a,52bに印加させるように高電圧印加回路3を制御する第1の動作モードと、第1の高電圧よりも電圧値が高い第2の高電圧を電極51a,51b,52a,52bに印加させるように高電圧印加回路3を制御する第2の動作モードとを有し、第1の動作モードによる制御中に第2の動作モードによる制御を挿入する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電極を有し、前記電極に高電圧が印加されるとイオンを発生させるイオン発生部と、
前記高電圧を生成して前記電極に印加する高電圧印加回路と、
前記高電圧印加回路を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、第1の高電圧を前記高電圧として前記電極に印加させるように前記高電圧印加回路を制御する第1の動作モードと、前記第1の高電圧よりも電圧値が高い第2の高電圧を前記高電圧として前記電極に印加させるように前記高電圧印加回路を制御する第2の動作モードとを有し、前記第1の動作モードによる制御中に前記第2の動作モードによる制御を挿入する、イオン発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4C080AA09
, 4C080BB02
, 4C080BB05
, 4C080CC01
, 4C080HH02
, 4C080JJ01
, 4C080KK02
, 4C080LL02
, 4C080MM40
, 4C080QQ11
, 4C080QQ17
