特許

J-GLOBAL ID：201403027421367729

ワンチップイグナイタ及び内燃機関点火装置

発明者： 石井 憲一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-149813
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013798
出願日： 2012年07月03日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
要約：

【課題】動作電圧の低電圧化、高ノイズ耐量化、小型化および低コスト化を実現できるワンチップイグナイタを提供する。【解決手段】MOSトランジスタのゲートしきい値電圧Vtghを低下させ、電流制限回路、過熱検出回路、タイマー回路、過電圧保護回路及び入力ヒステリシス回路などの動作電圧を低電圧することで、ワンチップイグナイタ100の動作電圧を低電圧化することができる。MOSトランジスタの実効ゲートしきい値電圧が1V以上であり、前記IGBTのチャネル長う4μm以下とする。また、MOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さを、5nm以上で、25nm未満とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタと、該MOSトランジスタのゲートと電気的に接続するゲート端子と、該MOSトランジスタのゲート電圧を制限する制御回路とを、同一半導体基板に配置したワンチップイグナイタにおいて、 前記ワンチップイグナイタのゲート端子に入力される入力電圧が、前記制御回路の電源電圧及び前記MOSトランジスタの制御信号となり、前記入力電圧の最低電圧が3.5V未満であることを特徴とするワンチップイグナイタ。

IPC (8件)：

H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  F02P 3/04 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (10件)：

H01L29/78 656C ,  F02P3/04 301B ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 657F ,  H01L29/78 657G ,  H01L29/78 652K ,  H01L27/08 102J ,  H01L27/04 H ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/06 311B

Fターム (30件)：

3G019CA06 ,  3G019DB07 ,  3G019FA02 ,  3G019FA06 ,  3G019FA13 ,  5F038AZ07 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH16 ,  5F038BH19 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BB14 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD02 ,  5F048BD04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC16

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 内燃機関用点火装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-340316   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058726   出願人：株式会社東芝
• MOS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-213578   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-176500   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置および内燃機関用点火装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-207480   出願人：富士電機システムズ株式会社
• イグナイタシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-313397   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-541232   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社