特許

J-GLOBAL ID：201403027787270256

光電変換装置の製造方法

発明者： 中原 智
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-131693
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258176
出願日： 2012年06月11日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】周縁絶縁領域をより正確な位置に形成することができる光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】透明電極層、光電変換層および裏面電極層を備えた透明絶縁基板に第2のマークを形成する工程と、第2のマークを位置合わせの基準としたレーザ光の照射により透明絶縁基板の周縁の透明電極層、光電変換層および裏面電極層を除去して周縁絶縁領域を形成する工程と、を含む、光電変換装置の製造方法である。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

透明電極層を備えた透明絶縁基板に第1のマークを形成する工程と、 前記透明電極層上に光電変換層および裏面電極層を積層する工程と、 前記第1のマークを位置合わせの基準としたレーザ光の照射により前記光電変換層および前記裏面電極層を線状に除去してスクライブラインを形成する工程と、 前記透明電極層、前記光電変換層および前記裏面電極層を備えた前記透明絶縁基板に第2のマークを形成する工程と、 前記第2のマークを位置合わせの基準としたレーザ光の照射により前記透明絶縁基板の周縁の前記透明電極層、前記光電変換層および前記裏面電極層を除去して周縁絶縁領域を形成する工程と、を含む、光電変換装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 S

Fターム (18件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151DA04 ,  5F151DA17 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03