特許
J-GLOBAL ID：201403028348784282
半導体ボディの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-504255
公開番号（公開出願番号）：特表2014-511042
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
半導体ボディ(3)を製造する方法を開示する。本方法は、以下のステップ、すなわち、少なくとも2つのチップ領域(1)と、チップ領域(1)の間に配置される少なくとも1つの分離領域(2)とを有する半導体ウェハ、を形成するステップであって、半導体ウェハが積層体を備えており、積層体の最も外側の層が、少なくとも分離領域(2)内に、電磁放射に対して透過性である透過層(8)を有する、ステップと、以下の方策、すなわち、分離領域(2)内において透過層(8)を除去する、分離領域内に吸収層(16)を形成する、分離領域内において透過層の吸収係数を高める、のうちの少なくとも1つを行うステップと、分離領域(2)に沿ってレーザによってチップ領域(1)を分離するステップと、を含んでいる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体ボディ(3)を製造する方法であって、
- 少なくとも2つのチップ領域(1)と、前記チップ領域(1)の間に配置される少なくとも1つの分離領域(2)とを有する半導体ウェハ、を形成するステップであって、前記半導体ウェハが積層体を備えており、前記積層体の最も外側の層が、少なくとも前記分離領域(2)内に、電磁放射に対して透過性である透過層(8)を有する、前記ステップと、
- 以下の方策、すなわち、
前記分離領域(2)内において前記透過層(8)を除去する、
前記分離領域内に吸収層(16)を形成する、
前記分離領域内において前記透過層の吸収係数を高める、
のうちの少なくとも1つを行うステップと、
- 前記分離領域(2)に沿ってレーザによって前記チップ領域(1)を分離するステップと、
を含んでいる、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 100
, H01L33/00 300
5F141AA41
, 5F141CA76
, 5F141CA98
, 5F141CB11
, 5F141CB15
, 5F141CB36
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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