特許

J-GLOBAL ID：201403028775477595

パターン形成方法

発明者： 小山 賢一 ,  八重樫 英民
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-214854
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072226
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：

【課題】配線GDRで微細パターンを形成する際に、高い寸法精度を得ることができるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】基板上の薄膜に微細なラインおよびスペースを形成する工程と、微細なラインおよびスペースのラインをカットすることにより、配線を形成するためのトレンチパターンの反転パターンである第1のパターンを形成する工程と、第1のパターンを反転させて、トレンチパターンとなる第2のパターンを形成する工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の薄膜に微細なラインおよびスペースを形成する工程と、 前記ラインをカットすることにより、配線を形成するためのトレンチパターンの反転パターンである第1のパターンを形成する工程と、 前記第1のパターンを反転させて、前記トレンチパターンとなる第2のパターンを形成する工程と を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L21/30 570 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/88 B

Fターム (14件)：

2H096AA25 ,  2H096EA05 ,  2H096HA05 ,  5F004AA04 ,  5F004EB02 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033XX03 ,  5F146LA18