特許

J-GLOBAL ID：201403028897935756

ブロックコポリマー及び該ブロックコポリマーを用いたリソグラフィーパターニング

発明者： オーバー クリストファー ケー. ,  前田 里奈 ,  ユー ナムホ ,  早川 晃鏡
出願人/特許権者： コーネル ユニバーシティー
代理人 (5件)： 廣田 雅紀 ,  小澤 誠次 ,  東海 裕作 ,  松田 一弘 ,  堀内 真
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-529828
公開番号（公開出願番号）：特表2014-531615
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：

ブロックコポリマー、及び該ブロックコポリマーを使用して有機薄膜のパターンを作製する方法。ブロックコポリマーはフッ素化ブロックを含む。ブロックコポリマーの薄膜は整列させることができるマイクロドメインを有する。結果として、入射する深紫外線又は電子ビーム照射線のパターンよりも小さい寸法を有する有機薄膜のパターンを形成することができる。例えば、ブロックコポリマーは、リソグラフィー、ろ過及びテンプレート作成の用途に使用できる。

請求項（抜粋）：

a)基材を準備するステップと; b)ポジ型ポリマーブロック及びネガ型ポリマーブロックを含むブロックコポリマーの薄膜を形成するステップであって、前記薄膜が周期的マイクロドメインを有するステップと; c)前記薄膜の前記周期的マイクロドメインを整列させるステップと; d)b)からの前記薄膜の少なくとも一部を深紫外線又は電子ビーム放射に露光して、前記薄膜の露光部分における前記ポジ型ポリマーブロック及びネガ型ポリマーブロックに異なる影響を与え、薄膜の露光パターン及び任意選択により未露光部分が形成されるようにするステップと; e)d)からの前記薄膜を溶媒にさらし、ブロックコポリマー薄膜の前記未露光部分、及び前記薄膜の前記露光部分の選択された領域が除去され、前記ネガ型ポリマーブロックのパターン化有機薄膜又は前記ポジ型ポリマーブロックのパターン化有機薄膜が形成されるようにするステップと を含む、パターン化有機薄膜を形成する方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 293/00

FI (5件)：

G03F7/38 501 ,  G03F7/038 505 ,  G03F7/039 501 ,  H01L21/30 502D ,  C08F293/00

Fターム (36件)：

2H125AM12P ,  2H125AM13P ,  2H125AM15P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AN34P ,  2H125CA12 ,  2H125CB07 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC11 ,  2H125CC20 ,  2H125CD08P ,  2H125CD39 ,  2H125FA05 ,  2H125FA21 ,  2H196AA25 ,  2H196BA20 ,  2H196DA10 ,  2H196EA03 ,  2H196EA06 ,  2H196GA03 ,  2H196LA31 ,  4J026HA05 ,  4J026HA06 ,  4J026HA26 ,  4J026HA39 ,  4J026HB11 ,  4J026HB26 ,  4J026HB39 ,  4J026HC11 ,  4J026HC26 ,  4J026HE01 ,  4J026HE04 ,  5F146AA28