特許
J-GLOBAL ID:201403029814243226
電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
岡部 讓
, 臼井 伸一
, 越智 隆夫
, 高橋 誠一郎
, 吉澤 弘司
, 齋藤 正巳
, 木村 克彦
, 田中 尚文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-130015
公開番号(公開出願番号):特開2014-029501
出願日: 2013年06月20日
公開日(公表日): 2014年02月13日
要約:
【課題】ポジゴーストが抑制され、繰り返し使用後の帯電能の低下が抑制された電子写真感光体を提供することにある。【解決手段】積層体、積層体上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、積層体が、支持体、電子輸送層、および電荷発生層をこの順に有し、該積層体が下記式(2)および(4)を満たすことを特徴とする電子写真感光体。|Vl2-Vl1|≦0.35 (2)0.10≦|(Vd2-Vl3)/Vd2|≦0.20 (4)【選択図】図3
請求項(抜粋):
積層体、該積層体上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、
該積層体が、支持体、該支持体上に形成された膜厚がd1(μm)である電子輸送層、該電子輸送層上に形成された膜厚がd2(μm)である電荷発生層を有し、
該積層体が下記式(2)および(4)を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
|Vl2-Vl1|≦0.35 (2)
0.10≦|(Vd2-Vl3)/Vd2|≦0.20 (4)
(式(2)および(4)中、
Vl1は、
該電荷発生層の表面電位が下記式(1)で示されるVd1(V)となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
露光してから0.20秒後の該電荷発生層の表面電位がVd1(V)に対して20%減衰するように強度を設定した光を表面電位がVd1(V)に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から0.18秒後の表面電位を示す。
Vd1=-50×(d1+d2) (1)
Vl2は、
該電荷発生層の表面電位が上記式(1)で示されるVd1(V)となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
該光を表面電位がVd1(V)に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から0.22秒後の表面電位を示す。
Vl3は、
該電荷発生層の表面電位が下記式(3)で示されるVd2(V)となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
該光を表面電位がVd2(V)に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から0.20秒後の表面電位を示す。
Vd2=-30×(d1+d2) (3)
IPC (3件):
G03G 5/047
, G03G 5/14
, G03G 5/06
FI (8件):
G03G5/047
, G03G5/14 101
, G03G5/14 101F
, G03G5/14 101D
, G03G5/06 371
, G03G5/06 340
, G03G5/06 312
, G03G5/06 313
Fターム (20件):
2H068AA19
, 2H068AA20
, 2H068AA28
, 2H068AA34
, 2H068AA35
, 2H068AA37
, 2H068AA43
, 2H068AA44
, 2H068AA48
, 2H068BA12
, 2H068BA13
, 2H068BA38
, 2H068BA41
, 2H068BA49
, 2H068BA63
, 2H068BB29
, 2H068BB53
, 2H068FA12
, 2H068FA18
, 2H068FA27
引用特許:
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