特許

J-GLOBAL ID：201403030117093117

イオンアシスト原子層堆積方法及び装置

発明者： ジョージ ディー パパスリオティス ,  ルドヴィック ゴデ
出願人/特許権者： ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  下地 健一 ,  石川 雅章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-505348
公開番号（公開出願番号）：特表2014-515061
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：

膜堆積装置は、第1の反応物質を第1の期間中に基板上に反応物質層として堆積するように構成された第1の処理チャンバと、第2の時間にイオンをある角度範囲に亘って前記基板に入射させるように構成され且つ第2の反応物質を第2の期間中に前記基板上に堆積するよう構成された第2の処理チャンバを備え、前記第2の反応物質が前記第1の反応物質と反応するように構成されている。

請求項（抜粋）：

第1の反応物質を第1の期間中に基板上に反応物質層として堆積するように構成された第1の処理チャンバと、 イオンをある角度範囲に亘って前記基板に入射させるように構成され且つ第2の反応物質を第2の期間中に前記基板上に第2の反応物質層として堆積するよう構成され、前記第2の反応物質が前記第1の反応物質と反応するように構成された第2の処理チャンバと、 を備える膜堆積装置。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/318 B

Fターム (31件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA05 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA04 ,  4K030KA11 ,  4K030KA12 ,  4K030KA23 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045DQ12 ,  5F045EH18 ,  5F045HA24 ,  5F058BC08 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ04