特許
J-GLOBAL ID：201403030775192650
磁気ディスク基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267313
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029754
出願日： 2012年12月06日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮しつつ粗研磨後の長波長うねりを低減でき、基板への残留砥粒(突起欠陥)を大幅に低減できる磁気ディスク基板の製造方法。【解決手段】(1)シリカ粒子A及び水を含有する研磨液組成物Aを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、(2)工程1で得られた基板を洗浄する工程、及び、(3)シリカ粒子B及び水を含有する研磨液組成物B用いて工程2で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程を有する。前記工程(1)と(3)は別の研磨機で行う。シリカ粒子Aは、絶対最大長の平均が80〜500nmであり、面積比(b/a×100)の平均が110〜200%である。シリカ粒子Aは、面積比(b/a×100)が110〜200%であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Aに対して50質量%以上含有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)シリカ粒子A及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程;
(2)工程(1)で得られた基板を洗浄する工程;及び、
(3)シリカ粒子B及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(2)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程;
を有し、
前記工程(1)と(3)は別の研磨機で行い、
前記シリカ粒子Aは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が80〜500nmであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積bを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積aで除して100を乗じた面積比(b/a×100)の平均が110〜200%であり、
前記シリカ粒子Aが、前記面積比(b/a×100)が110〜200%であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Aに対して50質量%以上含有する、磁気ディスク基板の製造方法。
IPC (3件)：
G11B 5/84
, B24B 37/00
, B24B 1/00
G11B5/84 A
, B24B37/00 H
, B24B1/00 D
3C049AA07
, 3C049AA09
, 3C049AC01
, 3C049CA04
, 3C049CB02
, 3C049CB03
, 3C058AA07
, 3C058CA06
, 3C058DA02
, 3C058DA17
, 5D112AA02
, 5D112AA24
, 5D112BA06
, 5D112BA09
, 5D112GA08
, 5D112GA09
, 5D112GA14
