高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河原純一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-552804
公開番号（公開出願番号）：特表2014-512667
出願日： 2012年02月10日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：

超高効率固体物理光源および全太陽スペクトル太陽電池のための候補中に、InGaNナノワイヤに基づく素子がある。加えて、これらのナノワイヤは、ヘテロ構造、量子ドットなどを典型的に必要とする。これらすべては、これらの構造が比較的少ない欠陥および制御可能かつ複製可能な方法で成長するための必要条件とされる。加えて、素子設計による柔軟性は、基板のナノワイヤがInNまたはGaNのいずれかであることを必要とする。本発明によれば、第3A族窒化物のための比較的欠陥フリーのナノワイヤおよび関連する構造を成長させる方法は、異種金属触媒を必要とすること無しに示され、先行技術の非触媒成長技術の不均一成長を克服している。本発明の他の実施例によれば、自己組織化ドット内部ドットナノワイヤおよび井戸内部ドット内部ドットナノワイヤ構造が示される。【選択図】図20

請求項（抜粋）：

その上に形成された複数の半導体ナノワイヤの少なくとも1つの半導体ナノワイヤを持つ基板を含み、前記少なくとも1つの半導体ナノワイヤが前記少なくとも1つの半導体ナノワイヤの所定部分内部の第2量子ドット内部に配置され、その成長中に前記少なくとも1つの半導体ナノワイヤの自己組織化によって形成される少なくとも1つの第1量子ドットを含むことを特徴とする素子。

IPC (9件)：

H01L 33/06 , H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 33/32 , H01S 5/343 , H01L 31/06 , H01L 21/203 , B82Y 30/00 , B82Y 20/00

FI (11件)：

H01L33/00 112 , H01L29/06 601D , H01L29/06 601N , H01L29/06 601W , H01L21/20 , H01L33/00 186 , H01S5/343 610 , H01L31/04 E , H01L21/203 M , B82Y30/00 , B82Y20/00

Fターム (39件)：

5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103KK10 , 5F103LL02 , 5F103LL04 , 5F103NN01 , 5F141AA03 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA23 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA88 , 5F141CB36 , 5F151AA08 , 5F151DA13 , 5F151DA20 , 5F151GA04 , 5F152LL05 , 5F152LN32 , 5F152MM02 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM13 , 5F152MM16 , 5F152NN03 , 5F152NP14 , 5F152NQ09 , 5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC52 , 5F173AD02 , 5F173AF09 , 5F173AF20 , 5F173AP06 , 5F173AQ12 , 5F173AQ13 , 5F173AQ15 , 5F173AR23

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