特許

J-GLOBAL ID：201403030982511307

反射低減方法および反射低減構造

発明者： 菊田 守 ,  長藤 圭介 ,  中尾 政之 ,  末弘 大介 ,  藤澤 竜太朗
出願人/特許権者： カルソニックカンセイ株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (2件)： 西脇 民雄 ,  西脇 怜史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-081718
公開番号（公開出願番号）：特開2014-203052
出願日： 2013年04月10日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

【課題】主に、安価且つ簡便にモスアイ技術を用いた超低反射技術(または無反射技術)を実現し得るようにする。【解決手段】表面に金属薄膜22を有する基材11の、少なくとも金属薄膜22の部分を加熱して、金属薄膜22の表面にナノワイヤ25を生成させるナノワイヤ生成工程26と、このナノワイヤ25を形状変化させて、屈折率傾斜を有する微細な錐体27を形成する錐体形成工程28と、を行う。そして、上記錐体形成工程28が、ナノワイヤ25の表面にターゲット粒子を付着させるスパッタリング現象と、ナノワイヤ25の表面に付着したターゲット粒子の一部を弾き飛ばす逆スパッタ現象と、を同時に発生させるバイアススパッタ法によるものとされる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

表面に金属薄膜を有する基材の、少なくとも金属薄膜の部分を加熱して、金属薄膜の表面にナノワイヤを生成させるナノワイヤ生成工程と、 該ナノワイヤを形状変化させて、屈折率傾斜を有する微細な錐体を形成する錐体形成工程と、を行うことを特徴とする反射低減方法。

IPC (1件)：

G02B 1/11

FI (1件)：

G02B1/10 A

Fターム (4件)：

2K009AA01 ,  2K009CC14 ,  2K009DD04 ,  2K009DD06