正帯電単層型電子写真感光体および画像形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：正林真之 , 林一好 , 岩池満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-241224
公開番号（公開出願番号）：特開2014-092582
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：

【課題】高速プロセスに適用した場合であっても転写メモリーの発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体及びそれを用いる画像形成装置を提供すること。【解決手段】導電性基体上に、少なくとも電荷発生材料、電子輸送材料、正孔輸送材料、及び結着樹脂を同一層内に含む感光層を備える正帯電単層型電子写真感光体において、前記電荷発生材料がフタロシアニン系顔料を含み、前記結着樹脂に対する前記電子輸送材料の含有量が45〜100質量%であり、更に、前記感光体を+800Vに帯電し、露光波長780nm、露光後300ms後の明電位が150Vになるような露光エネルギーの条件下、-800Vに帯電した前記感光体を露光した場合、両明電位の絶対値差が150V以下であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基体上に、少なくとも電荷発生材料、電子輸送材料、正孔輸送材料、及び結着樹脂を同一層内に含む感光層を備え、前記電荷発生材料がフタロシアニン系顔料を含み、前記感光層における前記電子輸送材料の含有量が前記結着樹脂の質量に対して45〜95質量%であり、感光層膜厚が10〜40μmであり、更に、前記感光体を+800Vに帯電し、露光波長780nm、露光後300ms後の明電位が150Vになるような露光エネルギーの条件下、-800Vに帯電した前記感光体を露光した場合、両明電位の絶対値差が150V以下である、正帯電単層型電子写真感光体。

IPC (2件)：

G03G 5/06 , G03G 15/16

FI (5件)：

G03G5/06 372 , G03G5/06 311 , G03G5/06 312 , G03G5/06 314A , G03G15/16

Fターム (35件)：

2H068AA14 , 2H068AA19 , 2H068AA20 , 2H068AA28 , 2H068AA31 , 2H068BA12 , 2H068BA14 , 2H068BA39 , 2H068BA63 , 2H068BA64 , 2H068BB25 , 2H068FC02 , 2H200FA02 , 2H200FA03 , 2H200GA12 , 2H200GA13 , 2H200GA16 , 2H200GA23 , 2H200GA34 , 2H200GA35 , 2H200GA41 , 2H200HA02 , 2H200HB07 , 2H200HB12 , 2H200HB22 , 2H200HB48 , 2H200JA02 , 2H200JB10 , 2H200JC04 , 2H200JC18 , 2H200JC19 , 2H200MA04 , 2H200NA02 , 2H200PA02 , 2H200PA22

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