特許

J-GLOBAL ID：201403032131436186

ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

発明者： 松尾 拓也
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-012098
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143351
出願日： 2013年01月25日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：

【課題】接合信頼性が高く、放熱特性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板を容易に製造することができる方法を提供する。【解決手段】ヒートシンク30は、炭化ケイ素の多孔体31にSiが2質量%以上11質量%以下の範囲で含有されるアルミニウム合金が含浸するとともに、多孔体31の表面にそのアルミニウム合金の被覆層32が形成されたAlSiC系複合材料からなり、パワーモジュール用基板10の金属層13とヒートシンク30との接合面間に銅からなる中間層25を9g/m2以上180g/m2以下の分量で挟んで配置し、これらを520°C以上570°C以下の温度で加熱して、金属層13と被覆層32との間にアルミニウム合金と銅とが溶融してなる金属液相を形成した後、冷却して金属液相を凝固することにより、パワーモジュール用基板10とヒートシンク30とを接合する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の一方の面に回路層が積層され、該セラミックス基板の他方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層が積層されてなるパワーモジュール用基板を、ヒートシンクに接合するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記ヒートシンクは、炭化ケイ素の多孔体にSiが2質量%以上11質量%以下の範囲で含有されるアルミニウム合金が含浸するとともに、前記多孔体の表面に該アルミニウム合金の被覆層が形成されたAlSiC系複合材料からなり、前記パワーモジュール用基板の金属層と前記ヒートシンクとの接合面間に銅からなる中間層を9g/m2以上180g/m2以下の分量で挟んで配置し、これらを520°C以上570°C以下の温度で加熱して、前記金属層と前記被覆層との間にアルミニウム合金と銅とが溶融してなる金属液相を形成した後、冷却して前記金属液相を凝固することにより、前記パワーモジュール用基板と前記ヒートシンクとを接合することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/12 J

Fターム (9件)：

5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136BB18 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA12 ,  5F136FA17 ,  5F136GA02 ,  5F136GA33