特許

J-GLOBAL ID：201403033505879342

グラフェントランジスタの製造方法

発明者： 中払 周
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (15件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-167426
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027166
出願日： 2012年07月27日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

【課題】グラフェンを電界効果による電気伝導の制御が可能な状態にさせることができ、大規模集積回路製造におけるスループットの向上、更にはオン電流の増大に寄与する。【解決手段】グラフェントランジスタの製造方法であって、絶縁膜11上に形成された単層又は複数層のグラフェン12に対し、トランジスタのチャネル領域とすべき部分に、ヘリウムイオンビームを2×1015〜1×1016[ions/cm2]の範囲で照射し、次いでグラフェン12のチャネル領域上に絶縁膜15及び金属電極16を積層することでゲート構造部を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成された単層又は複数層のグラフェンに対し、トランジスタのチャネル領域とすべき部分に、ヘリウムイオンビームを2×1015〜1×1016[ions/cm2]の範囲で照射する工程と、 前記グラフェンの前記チャネル領域上に絶縁膜及び金属電極を積層することでゲート構造部を形成する工程と、 を含むことを特徴とするグラフェントランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/06

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 627D

Fターム (20件)：

5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE27 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG41 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16