特許

J-GLOBAL ID：201403034179585380

抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法

発明者： 伴野 直樹 ,  多田 宗弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012062059
公開番号（公開出願番号）：WO2012-153818
出願日： 2012年05月10日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

抵抗変化素子は、第1電極、第2電極及び該第1電極と該第2電極間に配置されたイオン伝導層を含み、該第1電極から該イオン伝導層中に供給された金属イオンが該第2電極から電子を受け取って析出して金属となり、該金属が該第1電極および該第2電極間を架橋接続することによって抵抗が変化する抵抗変化素子であって、該イオン伝導層が酸素と炭素を含む化合物で構成された第1のイオン伝導層と、金属酸化物で構成された第2のイオン伝導層との積層構造であり、該第2のイオン伝導層を構成する金属酸化物が酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムのうちの少なくとも一つを含む。

請求項（抜粋）：

第1電極、第2電極及び該第1電極と該第2電極間に配置されたイオン伝導層を含み、該第1電極から該イオン伝導層中に供給された金属イオンが該第2電極から電子を受け取って析出して金属となり、該金属が該第1電極および該第2電極間を架橋接続することによって抵抗が変化する抵抗変化素子であって、 該イオン伝導層が、酸素と炭素を含む化合物で構成された第1のイオン伝導層と、金属酸化物で構成された第2のイオン伝導層との積層構造であり、 該第2のイオン伝導層を構成する金属酸化物が酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (28件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA19 ,  5F083GA24 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12