特許

J-GLOBAL ID：201403034847676199

透明導電体の製造方法

発明者： 立花 範幾 ,  波木井 健
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057503
公開番号（公開出願番号）：特開2014-182966
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：

【課題】本発明の課題は、表面抵抗が低く、かつ光透過性の高い透明導電体を、大型の製造設備を必要とせず、簡易で高い生産性を有する製造方法で製造することができる透明導電体の製造方法を提供することである。【解決手段】本発明の透明導電体の製造方法は、透明支持体上に、窒素及び硫黄から選択される少なくとも一種の原子を有する有機化合物を含有する下地層と、前記下地層に隣接する銀を含有する透明導電層を有する透明導電体の製造方法であって、前記銀を含有する透明導電層は銀鏡反応により設けることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

透明支持体上に、窒素及び硫黄から選択される少なくとも一種の原子を有する有機化合物を含有する下地層と、前記下地層に隣接する銀を含有する透明導電層を有する透明導電体の製造方法であって、前記銀を含有する透明導電層は銀鏡反応により形成することを特徴とする透明導電体の製造方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 ,  B32B 7/02 ,  B32B 15/08

FI (3件)：

H01B13/00 503B ,  B32B7/02 104 ,  B32B15/08 Z

Fターム (17件)：

4F100AB01C ,  4F100AH03B ,  4F100AH04B ,  4F100AK00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100EH46B ,  4F100EJ01C ,  4F100EJ12C ,  4F100EJ14C ,  4F100JG01 ,  4F100JN01A ,  5G323BA01 ,  5G323BB01 ,  5G323BB02 ,  5G323BC02