特許

J-GLOBAL ID：201403034993259605

パターン加工されてなる芳香族炭素膜およびその製造方法

発明者： 宮園 亨樹
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047701
公開番号（公開出願番号）：特開2014-172792
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】 透明導電膜の少なくとも一部に用いた際に高い導電性と光透過性を共に達成しうる、狭い線幅のパターン加工が可能なパターン加工されてなる芳香族炭素膜の製造方法と、端部が均質で線幅の狭いパターン加工がなされた芳香族炭素膜、および透明性導電複合体を提供する。【解決手段】 芳香族炭素膜の表面に少なくとも一種の金属種を含んでなる薄膜をイオンプレーティングにより形成した後、該薄膜を酸性液体で処理するパターン加工を含んでなることを特徴とするパターン加工されてなる芳香族炭素膜の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

芳香族炭素膜の表面に少なくとも一種類の金属種を含んでなる薄膜をイオンプレーティングにより形成した後、該薄膜を酸性液体で処理するパターン加工を含んでなることを特徴とするパターン加工されてなる芳香族炭素膜の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (5件)：

C01B31/02 101Z ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503D ,  H01B13/00 503B ,  H01B5/14 B

Fターム (29件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20B ,  4G146AC30B ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC38B ,  4G146CA02 ,  4G146CB07 ,  4G146CB10 ,  4G146CB12 ,  4G146CB15 ,  4G146CB17 ,  4G146CB19 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB37 ,  5G307FB04 ,  5G323CA01