特許

J-GLOBAL ID：201403035267741976

容量結合プラズマを使用する半導体処理システムおよび方法

発明者： ヤン, チャンギュ ,  ミラー, マシュー エル. ,  チェン, シンロン ,  チュク, キーン エヌ. ,  リャン, チーウェイ ,  ヴェンカタラマン, シャンカー ,  ルボミルスキー, ドミトリー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-549429
公開番号（公開出願番号）：特表2014-510390
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

容量結合プラズマ(CCP)ユニットが処理チャンバの内部に位置づけられた基板処理システムが説明される。CCPユニットは、第1の電極と第2の電極との間に形成されたプラズマ励起領域を含むことができる。第1の電極は、第1のガスがプラズマ励起領域に入ることができるようにするための第1の複数の開口を含むことができ、第2の電極は、活性ガスがプラズマ励起領域を出ることができるようにするための第2の複数の開口を含むことができる。このシステムは、CCPユニットの第1の電極に第1のガスを供給するためのガス入口と、基板を支持するように動作可能であるペデスタルとをさらに含むことができる。ペデスタルは、活性ガスがCCPユニットから移動して入るガス反応領域より下に位置づけられる。

請求項（抜粋）：

基板処理システムであって、 処理チャンバの内部に位置づけられた容量結合プラズマ(CCP)ユニットであって、第1の電極と第2の電極との間に形成されたプラズマ励起領域を含み、前記第1の電極は、第1のガスが前記プラズマ励起領域に入ることができるようにするための第1の複数の開口を含み、前記第2の電極は、活性ガスが前記プラズマ励起領域を出ることができるようにするための第2の複数の開口を含む、容量結合プラズマ(CCP)ユニットと、 前記CCPユニットの前記第1の電極に前記第1のガスを供給するためのガス入口と、 基板を支持するように動作可能であるペデスタルであって、前記活性ガスが前記CCPユニットから移動して入るガス反応領域より下に位置づけられる、ペデスタルと を備えるシステム。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101B ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 M

Fターム (23件)：

5F004BA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14