特許
J-GLOBAL ID：201403035929026547
半導体セラミックおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-260416
公開番号（公開出願番号）：特開2014-105139
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：
【課題】低温焼成が可能で、高耐電圧化と低抵抗化との双方を満足し得る半導体セラミックおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Caを含有するチタン酸バリウム系粒子と、ホウ素酸化物およびバリウム酸化物を含有する粒界とを備える、半導体セラミック。チタン酸バリウム系粒子内のTiを100モルとしたとき、チタン酸バリウム系粒子内のCaの含有量は5〜20モルであり、粒界でのBの含有量は5〜40モルであり、また、粒界でのBの含有量に対する粒界でのBaの含有量の比は、0.2〜1.0である。この半導体セラミックは、Ba、Ca、Tiおよびドナー元素を含む出発原料を混合、粉砕および仮焼することによって、仮焼粉を得た後、ホウ素化合物およびバリウム化合物を含む焼結助剤を上記仮焼粉に添加することによって、混合粉を得、そして、この混合粉を焼成することによって得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
カルシウムを含有するチタン酸バリウム系粒子と、ホウ素酸化物およびバリウム酸化物を含有する粒界とを備える、チタン酸バリウムを主成分とする半導体セラミックであって、
前記チタン酸バリウム系粒子内のチタンを100モルとしたとき、前記チタン酸バリウム系粒子内の前記カルシウムの含有量は5〜20モルであり、前記粒界での前記ホウ素の含有量は5〜40モルであり、
前記粒界での前記ホウ素の含有量に対する前記粒界での前記バリウムの含有量の比は、0.2〜1.0である、
半導体セラミック。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA11
, 4G031AA14
, 4G031AA28
, 4G031AA32
, 4G031BA05
, 4G031GA01
, 5E034AB01
, 5E034AC04
, 5E034AC07
