特許
J-GLOBAL ID：201403036041036621

研磨用組成物および化合物半導体基板の製造方法

発明者：
堀江 裕介

堀江 裕介 について

, 
西浦 隆幸

西浦 隆幸 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183260
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041911
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：
【課題】化合物半導体基板、とりわけInP基板の高速研磨を可能とする研磨用組成物を提供するとともに、該研磨用組成物を利用した化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】アルカリ金属の脂肪酸塩と、コロイダルシリカと、酸化剤と、を含む研磨用組成物であって、該アルカリ金属の脂肪酸塩の濃度は、1.7×10-4mol/kg以上8.6×10-4mol/kg以下であることを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
アルカリ金属の脂肪酸塩と、コロイダルシリカと、酸化剤と、を含む研磨用組成物であって、 前記アルカリ金属の脂肪酸塩の濃度は、1.7×10-4mol/kg以上8.6×10-4mol/kg以下である、研磨用組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622W ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550D
Fターム (18件)：
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA14 ,  5F057AA28 ,  5F057BA12 ,  5F057BB05 ,  5F057BB08 ,  5F057DA03 ,  5F057DA38 ,  5F057EA01 ,  5F057EA07 ,  5F057EA21 ,  5F057EA22 ,  5F057GA02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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