特許
J-GLOBAL ID：201403036059170910
ウエーハの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-234050
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086550
出願日： 2012年10月23日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：
【課題】レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、改質層を形成した後、裏面を研削して仕上がり厚みに形成するとともに個々のデバイスに分割する際に、デバイスの角が擦れ合って損傷させることがない加工方法を提供する。【解決手段】デバイス22が形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、レーザー光線を内部に集光点を合わせて照射し、破断起点となる改質層を形成する工程と、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともに分割予定ラインに沿って個々のデバイス22に分割する裏面研削工程とを含み、研削を実施する前に、研削を実施する際の温度より低い温度に冷却された保護部材4をウエーハの表面に貼着し、裏面研削工程を実施する際に温度の上昇によって保護部材4が熱膨張することにより分割されたデバイス22とデバイス22との間に隙間Sが形成され、隣接するデバイス22の接触が抑制される。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を合わせて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含み、
少なくとも該裏面研削工程を実施する前に、該裏面研削工程を実施する際の温度より低い温度に冷却された保護部材をウエーハの表面に貼着する保護部材貼着工程を実施し、
該裏面研削工程を実施する際に温度の上昇によって該保護部材が熱膨張することにより分割されたデバイスとデバイスとの間に隙間が形成され、隣接するデバイスの接触が抑制される、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 M
, H01L21/78 T
, H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
5F057AA12
, 5F057BA15
, 5F057CA14
, 5F057CA31
, 5F057DA11
, 5F057DA22
, 5F057EC05
, 5F057FA16
, 5F057FA28
