特許
J-GLOBAL ID:201403036200179536
半導体装置および半導体装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-134515
公開番号(公開出願番号):特開2014-030000
出願日: 2013年06月27日
公開日(公表日): 2014年02月13日
要約:
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタのオン特性の向上および高速駆動を実現し、かつ、トランジスタに安定した電気的特性を付与して信頼性を向上させる。また、該半導体装置を、工程を複雑化させずに作製する。【解決手段】酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極層と、窒化シリコン膜とが、順に積層され、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトップゲート構造のトランジスタにおいて、酸化物半導体膜上に、酸化物半導体膜と接する窒化シリコン膜を有することで、酸化物半導体膜の一部の領域に窒素が添加され、当該領域が低抵抗領域となる。ソース電極層およびドレイン電極層は、酸化物半導体膜の低抵抗領域と接する。酸化物半導体膜の窒化シリコン膜と接していない領域(言い換えれば、ゲート絶縁膜およびゲート電極層と重畳する領域)はチャネル形成領域となる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜上、前記ゲート絶縁膜上および前記ゲート電極層上にあり、前記酸化物半導体膜に達する開口部を有する窒化シリコン膜と、
前記窒化シリコン膜上にあり、前記開口部を介して前記酸化物半導体膜と接するソース電極層およびドレイン電極層と、を有し、
前記窒化シリコン膜は、昇温脱離ガス分光法において500°C以下では水素分子の脱離量のピークを現さない半導体装置。
IPC (13件):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 21/824
, H01L 27/11
, H01L 27/108
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, G02F 1/136
FI (15件):
H01L29/78 619A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 627F
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 M
, H01L27/10 381
, H01L27/10 321
, H01L27/10 615
, H01L27/10 671C
, H01L27/10 671Z
, H01L27/10 434
, H01L29/78 371
, H01L27/08 102E
, G02F1/1368
Fターム (191件):
2H192AA24
, 2H192CB02
, 2H192CB37
, 2H192CB42
, 2H192EA66
, 2H192EA74
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