特許

J-GLOBAL ID：201403036274357746

半導体レーザー装置とその製造方法

発明者： 永松 謙太郎 ,  大野 啓 ,  能崎 信一郎 ,  川口 真生
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  藤井 兼太郎 ,  寺内 伊久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042562
公開番号（公開出願番号）：特開2014-170870
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：

【課題】2つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現すること。【解決手段】基板21と、基板21上方に設けられた第1、第2の半導体レーザー25、30と、第1、第2の半導体レーザー25、30の間に介在する絶縁層26とを備え、第1の半導体レーザー25は、第1導電型クラッド層22、発光層23と、第2導電型クラッド層24、リッジ31、第1導電型電極33、第2導電型電極34を有し、絶縁層26は、第2導電型クラッド層24の上方における第2の領域102に配置され、第2の半導体レーザー30は、絶縁層26の上方に設けられた第1導電型クラッド層27、第2の発光層28、第2導電型クラッド層29、リッジ32、第1導電型電極35、第2導電型電極36と、を備えた半導体レーザー装置とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上方に設けられた第1の半導体レーザーと、 前記基板上方に設けられた第2の半導体レーザーと、 前記第1の半導体レーザーと前記第2の半導体レーザーとの間に介在する絶縁層と、 を備え、 前記第1の半導体レーザーは、 前記基板上方に設けられた第1の第1導電型クラッド層と、 前記第1の第1導電型クラッド層の上方に設けられた第1の発光層と、 前記第1の発光層の上方に設けられた第1の第2導電型クラッド層と、 前記第1の第2導電型クラッド層の上方における第1の領域に設けられた第1のリッジと、 前記第1の第1導電型クラッド層に電気的に接続された第1の第1導電型電極と、 前記第1の第2導電型クラッド層に電気的に接続された第1の第2導電型電極と、 を有し、 前記絶縁層は、 前記第1の第2導電型クラッド層の上方における第2の領域に配置され、 前記第2の半導体レーザーは、 前記絶縁層の上方に設けられた第2の第1導電型クラッド層と、 前記第2の第1導電型クラッド層の上方に設けられた第2の発光層と、 前記第2の発光層の上方に設けられた第2の第2導電型クラッド層と、 前記第2の第2導電型クラッド層の上方に設けられた第2のリッジと、 前記第2の第1導電型クラッド層に電気的に接続された第2の第1導電型電極と、 前記第2の第2導電型クラッド層に電気的に接続された第2の第2導電型電極と、 を有する半導体レーザー装置。

IPC (2件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/40

FI (2件)：

H01S5/22 ,  H01S5/40

Fターム (13件)：

5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AD06 ,  5F173AG05 ,  5F173AG17 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AK21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP36 ,  5F173AR93 ,  5F173AR94