特許

J-GLOBAL ID：201403036280850365

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 高地 泰三 ,  脇山 悟
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岩田 雅信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-187927
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045142
出願日： 2012年08月28日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】ダイシングカットに伴う半導体層のチッピングを抑制する。【解決手段】個片化前層構造体におけるダイシングカット部に対して、透明樹脂層よりも高ヤング率のチップ抑制部材を前記半導体層に接して形成する。半導体層に比較的低ヤング率の透明樹脂層が接する従来のキャビティレス構造との比較で、ダイシングカット時における半導体層のビビリ(振動)を抑制でき、また、ダイシングブレードの目詰まりも抑制することができ、ダイシングカットに伴う半導体層のチッピングを効果的に抑制することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体層と、 透明材料で構成された保護層と、 前記半導体層と前記保護層の隙間を封止する透明樹脂層とを備え、 個片化前層構造体におけるダイシングカット部に前記透明樹脂層よりもヤング率の高いチップ抑制部材が前記半導体層に接して形成され、前記ダイシングカット部にてダイシングカットが為されて個片化された 半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H04N 5/369

FI (4件)：

H01L27/14 D ,  H01L23/30 B ,  H01L23/30 F ,  H04N5/335 690

Fターム (26件)：

4M109AA02 ,  4M109BA07 ,  4M109CA26 ,  4M109EA01 ,  4M109EA15 ,  4M109EB11 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109EE20 ,  4M109GA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA32 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5C024CY47 ,  5C024EX23 ,  5C024EX24 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52