特許
J-GLOBAL ID:201403036406720985
太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
天野 一規
, 池田 義典
, 小川 博生
, 加藤 早苗
, 石田 耕治
, 各務 幸樹
, 根木 義明
, 新庄 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-169674
公開番号(公開出願番号):特開2014-029924
出願日: 2012年07月31日
公開日(公表日): 2014年02月13日
要約:
【課題】毒性の高い元素を含む化合物を用いなくとも十分な変換効率を発揮することができる化合物系の太陽電池を提供する。【解決手段】n型半導体層3、中間層4、及びカルコゲナイド化合物を主成分として含有するp型半導体層5をこの順に有し、中間層4の主成分がスズ(Sn)-亜鉛(Zn)-硫黄(S)系化合物であり、このSn-Zn-S系化合物におけるZnとSnの合計原子数に対するZnの原子数(Zn/(Zn+Sn))が10%以上40%以下である太陽電池である。上記Sn-Zn-S系化合物が、硫化スズ及び硫化亜鉛を含むとよい。上記中間層の膜厚としては、30nm以上300nm以下が好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
n型半導体層、中間層、及びカルコゲナイド化合物を主成分として含有するp型半導体層をこの順に有し、
上記中間層の主成分がスズ(Sn)-亜鉛(Zn)-硫黄(S)系化合物であり、このSn-Zn-S系化合物におけるZnとSnの合計原子数に対するZnの原子数(Zn/(Zn+Sn))が10%以上40%以下である太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (3件):
5F151AA10
, 5F151CB11
, 5F151CB24
引用特許:
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