半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：加藤朝道 , 内田潔人 , 青木充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-181800
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038986
出願日： 2012年08月20日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

【課題】隣接拡散層間で干渉する可能性のある少数キャリアの浮遊により、空乏型MOSトランジスタの性能を落としていた。【解決手段】活性領域を有する半導体と、前記半導体の下又は横に隣接して配された絶縁体と、前記絶縁体中に埋め込まれるとともに前記半導体に接触しないように配された電極層と、前記電極層の上に配された前記絶縁体の部分を貫通するとともに前記電極層に電位を供給するためのコンタクトと、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

活性領域を有する半導体と、前記半導体の下又は横に隣接して配された絶縁体と、前記絶縁体中に埋め込まれるとともに前記半導体に接触しないように配された電極層と、前記電極層の上に配された前記絶縁体の部分を貫通するとともに前記電極層に電位を供給するためのコンタクトと、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (14件)：

H01L 27/08 , H01L 21/762 , H01L 21/76 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/088 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 29/41

FI (13件)：

H01L27/08 331E , H01L21/76 D , H01L21/76 L , H01L29/78 621 , H01L29/78 613A , H01L27/08 321F , H01L27/08 102D , H01L27/08 331A , H01L21/88 J , H01L27/10 321 , H01L27/10 671C , H01L29/44 Y , H01L29/78 626Z

Fターム (77件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD28 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF10 , 4M104FF21 , 4M104FF26 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH19 , 5F032AA01 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F033GG03 , 5F033HH04 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK11 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F033XX23 , 5F048AA04 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG07 , 5F048BG14 , 5F083AD02 , 5F083AD69 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA11 , 5F083GA12 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA37 , 5F083LA02 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F110AA06 , 5F110AA15 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN62

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