特許

J-GLOBAL ID：201403036878089790

電界効果トランジスタ

発明者： 水谷 孝 ,  石井 聡
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (2件)： 藤谷 修 ,  一色 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-285029
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127652
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

【課題】チャネル層がCNT(カーボンナノチューブ)からなる電界効果トランジスタの両極性を抑制すること。【解決手段】CNTからなるチャネル層12と、チャネル層12にショットキー接合し、かつ互いに離間して設けられたソース電極13およびドレイン電極14と、ソース電極13とドレイン電極14との間に設けられ、チャネル層12に絶縁膜11を介して接続するゲート電極15と、を有したCNTFETにおいて、ソース電極13とドレイン電極14との間であってゲート電極16とは異なる位置に、チャネル層12に接して、電気的にフローティング状態である極性制御膜16を設けた。極性制御膜16として仕事関数がチャネル層12よりも小さなTiを用いれば、CNTFETをnチャネルとすることができ、仕事関数がチャネル層12よりも大きなPdを用いれば、pチャネルとすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層にショットキー接合し、かつ互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられ、前記チャネル層に絶縁膜を介して接続するゲート電極と、を有した電界効果トランジスタにおいて、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間であって前記ゲート電極とは異なる位置に、前記チャネル層に接して設けられ、電気的にフローティング状態である極性制御膜を有し、 前記極性制御膜の仕事関数を、前記チャネル層の仕事関数と異ならせることで、両極性を抑制した、 ことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (8件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E

Fターム (45件)：

5F110AA04 ,  5F110AA14 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE27 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HM14 ,  5F110QQ14