特許
J-GLOBAL ID：201403037008319320

組み合わされたシリコン酸化膜エッチング及び汚染物除去プロセス

発明者：
ゲーロード,リチャード,エイチ

ゲーロード,リチャード,エイチ について

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メッサー,ブレイズ,ジェイ

メッサー,ブレイズ,ジェイ について

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クマール,カウシィク,エイ

クマール,カウシィク,エイ について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-533585
公開番号（公開出願番号）：特表2014-528181
出願日： 2012年09月14日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：
半導体装置を形成する方法。第1及び第2の材料を有する基板が提供され、第2の材料は、第1の材料によって吸蔵される。前記基板は、第1のノンプラズマエッチングプロセスを使用してエッチングされ、前記プロセスは、第2の材料をエッチングする速度と比較してより速い速度で第1の材料をエッチングする。第1のノンプラズマエッチングプロセスは、第1の材料の少なくとも一部の上に重なる第2の材料を曝露する。第2の材料は、次に、反応性ガスを含有するプラズマを使用してエッチングされ、第1の材料の少なくとも一部を曝露する。第2の材料をエッチングすることにより曝露された第1の材料の少なくとも一部を含む第1の材料が、第2のノンプラズマエッチングプロセスを使用してエッチングされる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を形成する方法であって、 第1の材料、及び、該第1の材料によって吸蔵される第2の材料を含有する基板を提供するステップ、 第1のノンプラズマエッチングプロセスを使用して前記第1の材料をエッチングするステップであり、前記プロセスは、前記第2の材料をエッチングする速度と比較してより速いエッチング速度で前記第1の材料をエッチングして、前記第1の材料の少なくとも一部の上に重なる前記第2の材料を曝露する、ステップ、 反応性ガスを含有するプラズマを使用して前記第2の材料をエッチングして、前記第1の材料の少なくとも一部を曝露するステップ、及び、 第2のノンプラズマエッチングプロセスによって、前記第2の材料をエッチングすることにより曝露された前記第1の材料の少なくとも一部を含む前記第1の材料をエッチングするステップ、 を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/302
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/302 201A ,  H01L21/302 102
Fターム (22件)：
5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA19 ,  5F004CA01 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34 ,  5F004EB01 ,  5F004EB08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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