成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (7件)：関根毅 , 重野隆之 , 大阿久敦子 , 山下一 , 関根毅 , 重野隆之 , 大阿久敦子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066938
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128086
特許番号：特許第5639104号
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】成膜室と、前記成膜室にSiおよびCのソースガスを供給する供給部と、前記成膜室内に設けられ、SiC基板が載置されたときに該基板を1500〜1700°Cに加熱する第1のヒータと、前記第1のヒータの下方に配置される第1のリフレクタと、前記第1のリフレクタの下方に配置される第1の断熱部と、前記成膜室内に載置される基板を支持するサセプタと、前記第1のヒータを支持する導電性の第1の支持部と、前記第1の支持部を支持する第2の支持部と、前記サセプタを上部で支持し、前記第1のヒータ、前記第1の支持部および前記第2の支持部を内部に配置する回転筒と、前記成膜室の下部に配置されて前記回転筒を回転させる回転軸と、前記回転軸の内部に設けられ、前記第1の支持部を介して前記第1のヒータに給電する電極と、前記電極の上端部によって下方から貫通されてこれを固定するとともに、前記第1の支持部と前記第2の支持部を下方から支持する導電性の連結部とを備え、前記第1のリフレクタと前記第1の断熱部は、前記回転筒の内部であって、前記第1のヒータと前記第2の支持部との間に配置され、前記第2の支持部はSiO2(石英)で構成され、前記電極と前記連結部は、いずれも金属で構成されることを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , C23C 16/46 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46

引用特許：

出願人引用 (5件)

載置台構造及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-072725 出願人：東京エレクトロン株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336081 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
特開平4-335520

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審査官引用 (5件)

載置台構造及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-072725 出願人：東京エレクトロン株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336081 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
特開平4-335520

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