特許
J-GLOBAL ID：201403037472613290
焼結銀被覆膜の作製方法及び焼成装置及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-163998
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187346
出願日： 2013年08月07日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】半導体基板または半導体パッケージ上に密着性および熱伝導性に優れたヒートスプレッダ用の焼結銀被覆膜を作製すること。【解決手段】 この焼成装置30は、ナノ銀粒子を含んでいるインクの塗布膜KMが一面に形成されている半導体基板12をワークピースW(KM/12)として出し入れし、たとえば隔壁または整流板31およびステージ33が設けられている焼成室内に一度に複数のワークピースWを収容できるチャンバ32と、チャンバ32に空気を導入しながらチャンバ32からガスを排出する換気部34と、チャンバ32内の雰囲気を所定の焼成温度に調整する温度調整機構36と、チャンバ32内の湿度を30%〜50%RH(30°C)の範囲内の設定値に調整する湿度調整機構38とを有している。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板または半導体パッケージ上にヒートスプレッダ用の焼結銀被覆膜を作製する方法であって、
前記半導体基板または半導体パッケージの一面にナノ銀粒子を含むインクまたはペーストの塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を換気型のオーブンにより湿度30%〜50%RH(30°C)の雰囲気下で加熱して焼結させる工程と
を有する焼結銀被覆膜作製方法。
IPC (5件)：
H01L 23/373
, H01L 23/36
, B22F 3/10
, B22F 7/04
, B22F 1/02
H01L23/36 M
, H01L23/36 D
, B22F3/10 F
, B22F7/04 D
, B22F1/02 B
4K018AA02
, 4K018BA01
, 4K018BB05
, 4K018BC29
, 4K018CA44
, 4K018DA11
, 4K018DA33
, 4K018KA32
, 5F136BA03
, 5F136BC03
, 5F136DA01
, 5F136DA11
, 5F136EA13
, 5F136EA23
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA82
, 5F136GA31
