特許
J-GLOBAL ID：201403037557576416
量子ナノ接合トムソン素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-014678
公開番号（公開出願番号）：特開2014-112574
出願日： 2012年01月26日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
要約：
【課題】ナノメータレベルのスピン量子ナノ接合トムソン素子を既存の製造技術で実現させる。【解決手段】70°Cの過熱温度にしたTMAH水溶液40wt%中で、Si単結晶基板を異方性エッチングする製造方法と、あわせてスケール拡大したマスクパターンを使用することによりp型半導体細線やn型半導体細線からなるスピン量子ナノ接合トムソン素子を作製する。Si基板上に異方性エッチングによりL字形V溝を形成する工程と、Si基板を酸化炉で熱酸化する工程と熱酸化工程後のL字形V溝に金属膜とn型半導体細線またはp型半導体細線をスパッタリングまたは蒸着で埋め込む工程からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si基板上に異方性エッチングによりL字形V溝を形成する工程と、前記Si基板を酸化炉で熱酸化する工程と前記熱酸化工程後のL字形V溝に金属膜とn型半導体細線またはp型半導体細線をスパッタリングまたは蒸着で埋め込む工程からなる量子ナノ接合トムソン素子とその製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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