特許

J-GLOBAL ID：201403038063245227

円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法

発明者： 荒谷 崇
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-269132
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116450
出願日： 2012年12月10日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：

【課題】円筒研削工程、スライス工程およびエッチング工程を経た後において円周方向の半径のばらつきが抑制された高品質の単結晶ウエーハを効率良く得ることができる円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶インゴットの外周部を円筒研削する工程と、ウエーハ状にスライスする工程と、単結晶ウエーハの外周部をエッチングする工程を有する単結晶ウエーハの製造方法であって、エッチング工程におけるウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる周期的な半径変化量に基づき、該周期的な半径変化量を相殺するように、インゴットの円周方向の位置に応じて、研削砥石のインゴット軸に対する垂直方向の砥石送り量を周期的に変更制御してインゴットの半径を変化させながら円筒研削工程を行い、スライス工程およびエッチング工程を行い単結晶ウエーハを製造する方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

研削砥石を用いて単結晶インゴットの外周部を円筒研削する工程と、該円筒研削工程後に前記単結晶インゴットをウエーハ状にスライスする工程と、該スライス工程後の単結晶ウエーハの少なくとも外周部をエッチング処理する工程を有する単結晶ウエーハの製造方法であって、 前記エッチング工程における単結晶ウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる周期的な半径変化量に基づいて、該周期的な半径変化量を相殺するように、前記単結晶インゴットの円周方向の位置に応じて、前記研削砥石の単結晶インゴット軸に対する垂直方向の砥石送り量を周期的に変更制御して前記単結晶インゴットの半径を変化させながら前記円筒研削工程を行った後、前記スライス工程およびエッチング工程を行い、単結晶ウエーハを製造することを特徴とする単結晶ウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 5/04

FI (2件)：

H01L21/304 601Z ,  B24B5/04

Fターム (17件)：

3C043AA01 ,  3C043AC28 ,  3C043CC04 ,  3C043DD05 ,  3C043DD06 ,  3C043EE00 ,  5F057AA01 ,  5F057AA11 ,  5F057AA31 ,  5F057BA01 ,  5F057BB03 ,  5F057CA01 ,  5F057DA11 ,  5F057DA29 ,  5F057FA12 ,  5F057GA01 ,  5F057GA15