特許
J-GLOBAL ID：201403038759971224
半導体受光装置、照度センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-146689
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011295
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】暗電流を補償する半導体受光装置をより小さい面積で提供すること。【解決手段】光を受光する受光フォトダイオード11と、光を遮る遮光部を有する遮光フォトダイオード12と、遮光フォトダイオード12に流れる暗電流IDに対応したミラー電流Iを生成し、ミラー電流Iに基づいて受光フォトダイオード11の暗電流を補償するミラー回路13とを具備する。受光フォトダイオード11は光が入射されるN型半導体層40を備え、遮光フォトダイオード12は遮光部によって光が遮られているN型半導体層50を備える。N型半導体層50の最上面はN型半導体層40の最上面よりも面積が小さく、且つ、N型半導体層50の最上面の周囲長と、N型半導体層40の最上面の周囲長とは略等しい長さである。【選択図】図4A
請求項（抜粋）：
光を受光する受光フォトダイオードと、
前記光を遮る遮光部を有する遮光フォトダイオードと、
前記遮光フォトダイオードに流れる第1暗電流に対応したミラー電流を生成し、前記ミラー電流に基づいて前記受光フォトダイオードの第2暗電流を補償するミラー回路と
を具備し、
前記受光フォトダイオードは、
前記光が入射される第1導電型の第1半導体層
を備え、
前記遮光フォトダイオードは、
前記遮光部によって前記光が遮られている前記第1導電型の第2半導体層
を備え、
前記第2半導体層の最上面は前記第1半導体層の最上面よりも面積が小さく、且つ、前記第2半導体層の最上面の周囲長は、前記第1暗電流の許容範囲が前記第2暗電流に対して±a%以内(aは0以上の整数)の電流値であるとき、前記第1半導体層の最上面の周囲長に対して前記±a%以内の長さである
半導体受光装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L31/10 G
5F049MA02
, 5F049MB03
, 5F049NA04
, 5F049QA03
, 5F049RA02
, 5F049SE05
, 5F049SS03
, 5F049SZ10
, 5F049UA04
